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Verfahren zum Untersuchen einer Lithographiemaske mittels eines elektronischen Mikroskopieverfahrens, wobei die Lithographiemaske ein Substrat (510), einen über dem Substrat (510) angeordneten Bragg-Reflektor (520), eine über dem Bragg-Reflektor (520) angeordnete Pufferschicht (540a; 540b) und eine über der Pufferschicht (540a; 540b) angeordnete Absorberschicht (550a; 550b) aufweist, wobei der Bragg-Reflektor (520) und/oder die Pufferschicht (540a; 540b) und/oder die Absorberschicht (550a; 550b) ein magnetisches Material aufweist, um einen Untersuchungskontrast zu erhöhen.
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