| 摘要 |
Eine Halbleiterspeichervorrichtung (100, 200, 1000, 1400a, 1400b, 1400c, 1400d, 1400e, 1740, 1830) weist eine Mehrzahl von Speicherbänken (BANK; BANK0 bis BANK7) in einem ersten Bereich, einen Datenanschluss, welchem ein Eingabedatensignal zugeführt wird, wobei der Datenanschluss in einem zweiten Bereich ist, und eine Invertierschaltung (610, 710, 810, 910, INV0 bis INV7) auf, welche das Eingabedatensignal in Antwort auf ein Inversionssteuersignal (SINV) invertiert oder nicht invertiert, das anzeigt, ob das Eingabedatensignal invertiert worden ist, wobei wenigstens eine Invertierschaltung (610, 710, 810, 910, INV0 bis INV7) für jede der Mehrzahl von Speicherbänken (BANK; BANK0 bis BANK7) angeordnet ist. |
