Integrierte Schottky-Diode für HEMTS

摘要

Eine Ausführungsform eines Transistorbauelements weist ein Halbleiter-Verbundmaterial auf einem Halbleiterträger und eine Source-Region und eine Drain-Region auf, die im Halbleiter-Verbundmaterial mit einer zwischen der Source- und der Drain-Region eingefügten Kanalregion voneinander beabstandet sind. Eine Schottky-Diode ist in den Halbleiterträger integriert und Kontakte erstrecken sich von der Source- und der Drain-Region durch das Halbleiter-Verbundmaterial. Die Kontakte befinden sich mit der Schottky-Diode derart in elektrischem Kontakt, dass die Schottky-Diode zwischen der Source- und der Drain-Region parallel geschaltet ist.