Integration eines Phasenwechselspeicherprozesses mit einer Maske

摘要

Als beispielhafte Ausführungsform wird ein Verfahren zum Herstellen einer Phasenwechsel-Speicherzelle offenbart. Das Verfahren beinhaltet das Bilden einer nicht sublithografischen Durchkontaktierung innerhalb eines isolierenden Substrats. Das isolierende Substrat wird auf derselben Schicht wie eine erste Metallisierungsschicht (Metall 1) eines Halbleiterwafers eingebettet und beinhaltet einen Boden und eine Seitenwand. Durch den Boden der nicht sublithografischen Durchkontaktierung wird eine sublithografische Öffnung gebildet, die sich bis zu einem vergrabenen leitenden Material erstreckt. Die sublithografische Öffnung wird mit einem leitenden nicht phasenveränderlichen Material ausgefüllt. Darüber hinaus wird innerhalb der nicht sublithografischen Durchkontaktierung ein Phasenwechselmaterial abgeschieden.