发明名称 Substrat mit vergrößerter Chipinsel
摘要 Die Erfindung betrifft ein bandförmiges Trägersubstrat zur Montage mehrerer Halbleiterchips umfassend eine elektrisch leitende Schicht, die durch Ausnehmungen in den Schichten strukturiert ist, wobei die Ausnehmungen mehrere gleichförmige Einheiten im Trägersubstrat bilden und jede Einheit eine Aufnahmefläche zur Montage zumindest eines Halbleiterchips, einen Restbereich und zwei Elektroden zur Kontaktierung des Halbleiterchips umfasst, die durch die Ausnehmungen vorstrukturiert sind, wobei die Aufnahmeflächen zwischen den Elektroden der gleichen Einheit angeordnet sind und das Trägersubstrat durch eine Parkettierung der Einheiten gebildet ist, bei dem die Aufnahmeflächen, die Restbereiche und die Elektroden durch derart schmale Stege miteinander verbunden sind, dass durch Ausstanzen der Stege mit kompakten Stanzwerkzeugen die Aufnahmeflächen von den Elektroden elektrisch isolierbar und die Elektroden und Aufnahmeflächen der Einheiten von den Restbereichen trennbar sind, und zumindest zwei Stege, die die Elektroden mit den Restbereichen verbinden, im Bereich von Ecken der Einheiten angeordnet sind. Die Erfindung betrifft auch ein elektronisches Bauelement umfassend zwei Elektroden und eine Aufnahmefläche, hergestellt aus einem solchen Trägersubstrat, bei dem zumindest ein Halbleiterchip auf der Aufnahmefläche befestigt ist, der über Bonddrähte mit den Elektroden elektrisch kontaktiert ist. Ferner betrifft die Erfindung auch ein Verfahren zur Herstellung eines bandförmigen Trägersubstrats und zur Herstellung eines elektronischen Bauelements.
申请公布号 DE102012103583(A1) 申请公布日期 2013.08.29
申请号 DE201210103583 申请日期 2012.04.24
申请人 HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH & CO. KG 发明人 WALTER, SIEGFRIED;DITZEL, ECKHARD
分类号 H01L23/495;H01L21/48;H01L21/58;H01L21/60;H01L23/50 主分类号 H01L23/495
代理机构 代理人
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