发明名称 一种光刻沟槽覆盖工艺
摘要 一种光刻沟槽覆盖工艺,采用两次光刻将光刻胶覆盖在沟槽中,每次光刻均涂覆一层光刻胶,第一次光刻显影完成后到第二次光刻涂光刻胶的时间间隔不超过1个小时;所述沟槽的深度为80-90um,所述光刻胶的厚度为7-8um。本工艺覆盖沟槽后,能减小产品漏电流,覆盖工艺流程短、操作简单。
申请公布号 CN103268854A 申请公布日期 2013.08.28
申请号 CN201310194785.6 申请日期 2013.05.23
申请人 康可电子(无锡) 有限公司 发明人 刘勇
分类号 H01L21/027(2006.01)I 主分类号 H01L21/027(2006.01)I
代理机构 无锡华源专利事务所(普通合伙) 32228 代理人 冯智文
主权项 一种光刻沟槽覆盖工艺,其特征在于采用两次光刻将光刻胶覆盖在沟槽中,每次光刻均涂覆一层光刻胶,第一次光刻显影完成后到第二次光刻涂光刻胶的时间间隔不超过1个小时;所述沟槽的深度为80‑90um,所述光刻胶的厚度为7‑8um。
地址 214142 江苏省无锡市新区硕放工业园振发六路三号