发明名称 一种低功耗快速启动电路及电流源
摘要 本发明公开了一种低功耗快速启动电路及电流源,所述启动电路,包括PMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M5、PMOS管M6和电流镜单元;所述电流源包括所述启动电路和电流源单元。本发明提供的低功耗快速启动电路及电流源,整个启动电路只需6个小面积的MOS管,结构简单,相比其他启动电路而言,节省了芯片面积;运行可靠性高,能快速启动,只要电流源单元正常工作后,导通的MOS管瞬间可将VDD/2电势点抬至高电位VDD,从而关断启动电路,整个启动、关断过程短暂,最快能达到纳秒级,并且可以根据电子系统的需要,调整启动时间;在系统进入稳定工作状态后,启动电路仅需皮瓦级静态功耗。
申请公布号 CN103269216A 申请公布日期 2013.08.28
申请号 CN201310225823.X 申请日期 2013.06.07
申请人 东南大学 发明人 陈莹梅;罗贤亮
分类号 H03K17/687(2006.01)I;G05F1/56(2006.01)I 主分类号 H03K17/687(2006.01)I
代理机构 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人 杨晓玲
主权项 一种低功耗快速启动电路,其特征在于:包括PMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M5、PMOS管M6和电流镜单元,所述电流镜单元包括NMOS管M3和NMOS管M4:所述PMOS管M1的衬底、PMOS管M1的栅极和PMOS管M1的源极接直流电源VDD,所述PMOS管M1的漏极接入节点1;所述NMOS管M2的衬底、NMOS管M2的栅极和NMOS管M2的源极接地GND,所述NMOS管M2的漏极接入节点1;所述NMOS管M3的栅极接入节点3,所述NMOS管M3的源极接地GND,所述NMOS管M3的漏极作为该启动电路的第一输出端;所述MOS管M4的栅极接入节点3,所述NMOS管M4的源极接地GND,所述MOS管M4的漏极接入节点4;所述PMOS管M5的栅极作为该启动电路的第二输出端,所述PMOS管M5的源极接直流电源VDD,所述PMOS管M5的漏极接入节点2;所述PMOS管M6的栅极接入节点2,所述PMOS管M6的源极接直流电源VDD,PMOS管M6的漏极接入节点4;所述节点1和节点2相接,所述节点3和节点4相接。
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