发明名称 半导体电路以及使用该半导体电路的半导体器件
摘要 本发明涉及一种半导体电路,包括电源电压生成电路;第一电路,具有晶体管,其中该晶体管与该电源电压生成电路相连,并且通过利用电子自旋的自由度来改变漏极电流值,用以改变源极和漏极的自旋状态;以及主要功能电路,其与该第一电路相连并且具有主功能。通过该漏极电流值来选择该主功能电路是否工作。因此可以通过简单的电路结构来调整该电路的工作速度。
申请公布号 CN101127352B 申请公布日期 2013.08.28
申请号 CN200710141098.2 申请日期 2007.08.16
申请人 NLT科技股份有限公司 发明人 高取宪一
分类号 H01L27/02(2006.01)I 主分类号 H01L27/02(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 关兆辉;陆锦华
主权项 一种半导体电路,包括:电源电压生成电路;具有晶体管的第二电路,其中该晶体管与该电源电压生成电路相连,并且通过利用电子自旋的自由度来改变用于漏源电压的漏极阈值,在所述用于漏源电压的漏极阈值处漏极电流在漏极和源极之间流动,以改变源极和漏极的自旋状态;以及主要功能电路,其具有主要功能并且根据是否有从所述第二电路输出的漏极电流来工作;其中,基于通过改变所述自旋状态而设定的用于所述晶体管的所述漏源电压的所述漏极阈值和由所述电源电压生成电路施加给所述晶体管的漏源电压之间的幅度关系,以及用于所述晶体管的栅极电压的栅极阈值和施加给所述晶体管的栅极的栅极电压之间的幅度关系,来确定用于使所述主要功能电路工作的所述漏极电流的ON‑OFF状态。
地址 日本神奈川县川崎市