发明名称 一种发光二极管
摘要 本实用新型公开了一种发光二极管及其制造方法,该发光二极管器件结构包括底座、发光二极管芯片和发光二极管芯片上的发光层,发光层上表面有金属纳米材料包覆层。由于金属纳米结构较大的比表面积,因而具有优良的导热性能,将金属纳米材料包覆在发光层上表面,可以有效传导发光二极管芯片产生的热量,防止发光二极管芯片高温老化,延长发光二极管的使用寿命。
申请公布号 CN203165950U 申请公布日期 2013.08.28
申请号 CN201320125755.5 申请日期 2013.03.15
申请人 中山达华智能科技股份有限公司 发明人 闭伟焕;赵文强;李绍荣;于军胜;马云辉
分类号 H01L33/64(2010.01)I 主分类号 H01L33/64(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极管,包括底座(1),底座(1)上安装有发光二极管芯片(2),发光二极管芯片(2)上具有发光层(3),其特征在于:所述发光层(3)上表面设置有金属纳米材料包覆层(4),底座(1)上还设置有将发光二极管芯片(2)、发光层(3)和金属纳米材料包覆层(4)包裹的外封装胶(5)。
地址 528400 广东省中山市小榄镇泰丰工业区水怡南路9号
您可能感兴趣的专利