一种石墨烯半导体制备装置

摘要

本实用新型公开了一种石墨烯半导体制备装置，属于半导体制备技术领域。所述方法装置：离子产生模块、磁偏转模块、共振吸收模块和离子注入模块；其中，所述磁偏转模块、所述共振吸收模块位于所述离子产生模块和所述离子注入模块之间，且所述磁偏转模块、所述共振吸收模块以及所述离子注入模块按照离子流的流向顺序设置。本实用新型通过依次采用磁偏转技术和共振吸收技术除去离子流中的杂质离子，从而提高了注入离子的纯度，使得制成的离子层具有良好的导电性能，提高了石墨烯半导体的整体性能。

主权项

一种石墨烯半导体制备装置，其特征在于，所述装置包括：用于用电子轰击原子，生成离子流的离子产生模块；用于采用磁偏转技术除去所述离子流中的部分杂质离子，得到第一次除杂后的所述离子流的磁偏转模块；用于采用与未除去的杂质离子元素相同的同位素物质对所述第一次除杂后的所述离子流进行共振吸收，得到第二次除杂后的所述离子流的共振吸收模块；用于将所述第二次除杂后的所述离子流均匀地注入到石墨烯基体模中的离子注入模块；其中，所述磁偏转模块、所述共振吸收模块位于所述离子产生模块和所述离子注入模块之间，且所述磁偏转模块、所述共振吸收模块以及所述离子注入模块按照离子流的流向顺序设置。