半导体装置的制造方法

摘要

本发明的制造方法包括如下工序：在衬底上形成由透明导电层和金属层的叠层构成的第一导电层，并且使用第一多级灰度掩模来形成由第一导电层构成的栅电极和由单层的透明导电层构成的像素电极；在形成栅极绝缘膜和I型半导体层和n+型半导体层之后使用第二多级灰度掩模形成像素电极中的接触孔及I型半导体层和n+型半导体层的岛；在形成第二导电层之后使用第三光掩模形成源电极及漏电极；在形成保护膜之后使用第四光掩模来形成开口区域。注意，该使用第四光掩模的工序可以通过使用背面曝光技术及回流技术而省略掩模。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括：在绝缘衬底上形成由透明导电层及金属层的叠层构成的第一导电层；通过应用第一多级灰度掩模，形成第一抗蚀剂；通过应用所述第一抗蚀剂蚀刻所述透明导电层及所述金属层形成栅电极及成为像素电极的像素区域；以在所述栅电极上残留所述第一抗蚀剂的一部分的方式使所述第一抗蚀剂灰化；通过应用残留的所述第一抗蚀剂蚀刻所述像素区域上的所述金属层，形成使用所述透明导电层而形成的所述像素电极；在所述绝缘衬底上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成半导体层；在所述半导体层上形成含有赋予一导电性的杂质元素的半导体层；通过应用第二多级灰度掩模形成第二抗蚀剂；蚀刻所述像素电极上的所述栅极绝缘膜、所述半导体层、以及所述含有所述赋予一导电性的杂质元素的半导体层来形成接触孔；以在所述栅电极上残留所述第二抗蚀剂的一部分的方式使所述第二抗蚀剂灰化；通过应用残留的所述第二抗蚀剂蚀刻所述半导体层及所述含有所述赋予一导电性的杂质元素的半导体层，来形成与所述栅电极重叠的岛状的半导体层及岛状的含有所述赋予一导电性的杂质元素的半导体层；在所述绝缘衬底上形成第二导电层；通过应用第三掩模形成第三抗蚀剂；通过应用所述第三抗蚀剂蚀刻所述第二导电层形成源电极及漏电极，并且还蚀刻所述岛状的含有所述赋予一导电性的杂质元素的半导体层来形成源区域及漏区域；在所述绝缘衬底上形成保护膜；通过应用第四掩模形成第四抗蚀剂；以及通过应用所述第四抗蚀剂蚀刻所述像素电极上的所述栅极绝缘膜及所述保护膜。