主权项 |
一种低功耗宽带低噪声放大器,其特征在于:设有第一、第二两个输入单元、第一、第二两个隔离单元以及负载单元,差分射频输入信号的正、负两端分别连接第一、第二两个输入单元的正输入端及负输入端,第一、第二两个输入单元的输出端分别连接第一、第二两个隔离单元且第一、第二两个输入单元的输出端之间对应互连,第一隔离单元的输出连接负载单元,负载单元输出差分射频输出信号;其中:第一输入单元包括NMOS管M1、NMOS管M2、第一、第二两个电阻、第一、第二两个电容,NMOS管M1及NMOS管M2的栅极分别串联电阻第一电阻及第二电阻后均连接第一偏置电压,NMOS管M1的栅极串联第一电容后连接NMOS管M2的源极并与差分射频输入信号的负端连接,NMOS管M2的栅极串联第二电容后连接NMOS管M1的源极并与差分射频输入信号的正端连接,NMOS管M1的衬底连接NMOS管M2的源极,NMOS管M2的衬底连接NMOS管M1的源极;第二输入单元包括PMOS管M3、PMOS管M4、第三、第四两个电阻、第三、第四两个电容,PMOS管M3及PMOS管M4的栅极分别串联电阻第三电阻及第四电阻后均连接第二偏置电压,PMOS管M3的栅极串联第三电容后连接PMOS管M4的源极并与差分射频输入信号的负端连接 ,PMOS管M4的栅极串联第四电容后连接PMOS管M3的源极并与差分射频输入信号的正端连接,PMOS管M3的衬底连接PMOS管M4的源极,PMOS管M4的衬底连接PMOS管M3的源极;第一输入单元中NMOS管M1的漏极通过第五电容连接第二输入单元中PMOS管M3的漏极,第一输入单元中NMOS管M2的漏极通过第六电容连接第二输入单元中PMOS管M4的漏极;第一隔离单元包括第五NMOS管M5及第六NMOS管M6,第五NMOS管M5及第六NMOS管M6的源极分别连接第一输入单元中NMOS管M1及NMOS管M2的漏极,第五NMOS管M5及第六NMOS管M6的栅极均连接电源电压VDD;第二隔离单元包括第五、第六两个电阻,第五、第六电阻的一端分别连接第二输入单元中PMOS管M3及PMOS管M4的漏极,第五、第六电阻的另一端均接地;负载单元包括第七、第八两个电阻,第七、第八电阻的一端分别连接第一隔离单元中NMOS管M5及NMOS管M6的漏极,第七、第八电阻的另一端均连接电源电压VDD,第八、第七电阻的一端分别通过第七电容及第八电容分别输出正、负差分射频输出信号。 |