像素单元的制作方法和图像传感器的制作方法

摘要

像素单元的制作方法和图像传感器的制作方法。像素单元的制作方法包括：提供包括光电二极管区域和晶体管区域的第一导电类型的半导体基体，光电二极管区域包括第一区域以及位于晶体管区域和第一区域之间的第二区域，晶体管区域上形成有栅极结构；在半导体基体和栅极结构上形成光刻胶层；图形化光刻胶层，至暴露第二区域，剩余的光刻胶层作为第一光刻图形；以第一光刻图形为掩模，进行第一离子注入；图形化第一光刻图形，至完全暴露出光电二极管区域，剩余的第一光刻图形作为第二光刻图形；以第二光刻图形为掩模，进行第二离子注入；去除第二光刻图形。本发明在消除图像残留现象的同时简化像素单元和图像传感器的制作工艺。

主权项

一种像素单元的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体基体，所述半导体基体包括光电二极管区域和晶体管区域，所述光电二极管区域包括第一区域以及位于所述晶体管区域和第一区域之间的第二区域，所述晶体管区域上形成有栅极结构，所述半导体基体的导电类型为第一导电类型；在所述半导体基体和所述栅极结构上形成光刻胶层；图形化所述光刻胶层，至暴露所述第二区域，剩余的所述光刻胶层作为第一光刻图形；以所述第一光刻图形为掩模，进行第一离子注入；图形化所述第一光刻图形，至完全暴露出所述光电二极管区域，剩余的所述第一光刻图形作为第二光刻图形；以所述第二光刻图形为掩模，进行第二离子注入，在所述第一区域中形成第一掺杂区且在所述第二区域中形成第二掺杂区，进行第二离子注入和第一离子注入的掺杂离子的导电类型为第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型不同；去除所述第二光刻图形。