| 发明名称 | 晶片封装体及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一上表面及一下表面，且具有至少一侧表面；至少一沟槽，自该上表面朝该下表面延伸，且自该侧表面朝该基底的一内部延伸，其中该沟槽接近该上表面的一口径不等于该沟槽接近该下表面的一口径；至少一绝缘层，位于该沟槽的一侧壁上；至少一导电图案，位于该绝缘层上，且该侧表面与该沟槽中的该导电图案之间隔有一预定距离而使部分的该绝缘层露出；以及至少一导电区，与该导电图案电性连接。本发明通过形成具有倾斜侧壁的穿孔，可使侧边电极的形成过程更为顺利，确保切割晶圆时穿孔中的导电图案不受拉扯而脱落。 | ||
| 申请公布号 | CN102214623B | 申请公布日期 | 2013.08.28 |
| 申请号 | CN201110086811.4 | 申请日期 | 2011.04.07 |
| 申请人 | 精材科技股份有限公司 | 发明人 | 郑家明;刘建宏 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 一种晶片封装体，其特征在于，包括：一基底，具有一上表面及一下表面，且具有至少一侧表面；至少一沟槽，自该上表面朝该下表面延伸，且自该侧表面朝该基底的一内部延伸，其中该沟槽接近该上表面的一口径不等于该沟槽接近该下表面的一口径；至少一绝缘层，位于该沟槽的一侧壁上；至少一导电图案，位于该绝缘层上，且该侧表面与该沟槽中的该导电图案之间隔有一预定距离而使部分的该绝缘层露出；以及至少一导电区，与该导电图案电性连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||