多有源区高效率光电子器件

摘要

一种多有源区高效率光电子器件，属于半导体光电子领域，其特征是在多有源区光电子器件中引入间接隧穿结构，通过间接隧穿结构将多个发光单元连接起来，增加了载流子的隧穿几率，成倍地提高了器件的量子效率。该器件结构可用于发光二极管、半导体激光器、多层结构带间探测器、超辐射发光二极管等。

主权项

多有源区高效率光电子器件，有从下往上依次纵向层叠的衬底（500），缓冲层（400），N+重掺接触层（300），发光区（200），P+重掺接触层（100），其特征在于：在发光区（200）中引入间接隧穿结构（220）。