发明名称 |
擦写电压产生电路 |
摘要 |
本发明公开一种擦写电压产生电路,包括第一电荷泵、爬坡电路、NMOS管及检测电路,该擦写电压产生电路还包括第二电荷泵,该第二电荷泵连接于该第一电荷泵与爬坡电路之间,以将该第一电荷泵输出的高压提高nV,使该NMOS管于源极产生的擦写电压因负载电流过大而下降时充分导通,本发明使第一电荷泵能迅速响应擦写电压的变化而不至于使擦写电压变化过大,实现了精确控制擦写电压的目的。 |
申请公布号 |
CN103268776A |
申请公布日期 |
2013.08.28 |
申请号 |
CN201310217971.7 |
申请日期 |
2013.06.03 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
黄明永;杨光军 |
分类号 |
G11C16/14(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/14(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种擦写电压产生电路,包括第一电荷泵、爬坡电路、NMOS管及检测电路,其特征在于:该擦写电压产生电路还包括第二电荷泵,该第二电荷泵连接于该第一电荷泵与爬坡电路之间,以将该第一电荷泵输出的高压提高nV,使该NMOS管于源极产生的擦写电压因负载电流过大而下降时充分导通。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 |