用于动态随机存取存储器(DRAM)的具有凹板部分的电容器及其形成方法

摘要

一种电容器包括设置在位于衬底之上的第一电介质层内的沟槽。第一金属板沿沟槽的底部和侧壁设置。第二电介质层被设置在第一金属板上并与之共形。第一金属板的直接毗邻于第二电介质层的部分相对于第二电介质层的侧壁凹进。第二金属板被设置在第二电介质层上并与之共形。第二金属板的直接毗邻于第二电介质层的部分相对于第二电介质层的侧壁凹进。第三电介质层被设置在第一金属板、第二电介质层以及第二金属板之上，并设置在第一金属板和第二电介质层之间以及在第二金属板和第二电介质层之间。

主权项

一种用于半导体器件的嵌入式金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，所述电容器包括：设置在位于衬底之上的第一电介质层内的沟槽；沿所述沟槽的底部和侧壁设置的第一金属板；设置在所述第一金属板上并与之共形的第二电介质层，所述第一金属板的直接毗邻于所述第二电介质层的部分相对于所述第二电介质层的侧壁凹进；设置在所述第二电介质层上并与之共形的第二金属板，所述第二金属板的直接毗邻于所述第二电介质层的部分相对于所述第二电介质层的侧壁凹进；以及第三电介质层，其被设置在所述第一金属板、所述第二电介质层以及所述第二金属板之上，并被设置在所述第一金属板和所述第二电介质层之间以及在所述第二金属板和所述第二电介质层之间。