一种采用磁控溅射镀膜的电子器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种采用磁控溅射镀膜的电子器件，并提供了其制造方法。其方法包含：将清洁的基体放入真空容器中、抽真空到10-4Pa、通入高纯氩气至0.5Pa、高能氩离子清洗、溅射金属铜至需要的厚度、溅射金属银至需要的厚度、溅射4∶1的CuMo合金至50nm厚度的步骤。采用此方法制造的滤波器、双工器等电子器件，具有膜层和基体结合强度高、导电率好、耐酸碱、生产率和良品率高且制造环保性强等优点。

主权项

一种电子器件，包含至少一个需要进行镀膜的表面，其特征在于其镀膜采用磁控溅射来实现。