发明名称 | W波段功率合成器 | ||
摘要 | 本实用新型提供一种W波段功率合成器,它具有结构简单、易于加工的特点。该合成器包括一基体,基体内平行设有两根拥有公共窄边的并行波导缝,该公共窄边中部设将两波导缝连通的耦合缝,两波导缝的另一侧壁上均向内设三棱形凸部;波导缝前端分别为端口1和端口4,波导缝的后端分别为端口2和端口3;端口1经直波导缝引出至基体前端并在该波端口装有法兰盘;端口4经两个直角切波导缝也引出至基体前端并在该波端口也装有法兰盘;端口2和端口3分别经直角切波导缝引出基体的上、下两侧并在波端口分别装有法兰盘。 | ||
申请公布号 | CN203166060U | 申请公布日期 | 2013.08.28 |
申请号 | CN201320186125.9 | 申请日期 | 2013.04.15 |
申请人 | 南京信息工程大学 | 发明人 | 葛俊祥;朱成 |
分类号 | H01P5/18(2006.01)I | 主分类号 | H01P5/18(2006.01)I |
代理机构 | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人 | 张立荣 |
主权项 | 一种W波段功率合成器,该合成器包括一基体,基体内平行设有两根拥有公共窄边的并行波导缝,该公共窄边中部设将两波导缝连通的耦合缝,波导缝前端分别为端口1和端口4,波导缝的后端分别为端口2和端口3,其特征是:所述两波导缝的外侧壁上均向内设三棱形凸部;端口1经直波导缝引出至基体前端并在该波端口装有法兰盘;端口4经两个直角切波导缝也引出至基体前端并在该波端口也装有法兰盘;端口2和端口3分别经直角切波导缝引出基体的上、下两侧并在波端口分别装有法兰盘。 | ||
地址 | 210044 江苏省南京市浦口区宁六路219号 |