单晶碳化硅液相外延生长用种晶件和单晶碳化硅的液相外延生长方法

摘要

本发明提供一种廉价的碳化硅液相外延生长用种晶件。单晶碳化硅液相外延生长用种晶件（12）具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的一级衍射峰，观察不到具有与（111）晶面对应的一级衍射峰的衍射强度的10%以上的衍射强度的其他的一级衍射峰。

主权项

一种单晶碳化硅液相外延生长用种晶件，其在单晶碳化硅的液相外延生长方法中使用，所述种晶件的特征在于：具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层，通过所述表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的一级衍射峰，观察不到具有所述与（111）晶面对应的一级衍射峰的衍射强度的10%以上的衍射强度的其他的一级衍射峰。