发明名称 锥刺形无ITO电极结构和等离子显示屏上基板的制作方法
摘要 本发明公开了一种锥刺形无ITO电极结构,包括金属电极X和金属电极Y,其中,金属电极X的放电部和金属电极X的放电部为锥刺形以形成尖端放电。本发明还公开了上述锥刺形无ITO电极结构的等离子显示屏的上基板的制作方法。由于采用锥刺形无ITO电极结构,金属电极X的放电部和金属电极Y的放电部都为锥刺形,以形成尖端放电,降低着火电压,同时遮盖面积比较小,从而增加透光率。
申请公布号 CN101685741B 申请公布日期 2013.08.28
申请号 CN200810223470.9 申请日期 2008.09.28
申请人 四川世纪双虹显示器件有限公司 发明人 曹瑞林
分类号 H01J11/22(2012.01)I;H01J11/32(2012.01)I;H01J9/00(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I 主分类号 H01J11/22(2012.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 尚志峰
主权项 一种锥刺形无ITO电极结构,包括金属电极X和金属电极Y,其特征在于,所述金属电极X的放电部和所述金属电极Y的放电部为锥刺形以形成尖端放电,其中,所述金属电极X和所述金属电极Y分别为银电极,所述银电极宽度为30~90μm,所述锥刺形放电部的锥刺长度为50~120μm,宽度为3.5~6.5μm。
地址 100085 北京市海淀区上地信息路11号
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