| 摘要 |
1. Мощный силовой высоковольтный быстровосстанавливающийся диод с малыми значениями прямовключенного напряжения, содержащий высоколегированную монокристаллическую GaAs подложку p-типа проводимости с последовательно выполненными на ней мультиэпитаксиальным GaAs слоем p-типа проводимости с изменяющейся концентрацией акцепторной примеси от концентрации в p-GaAs подложке до значений менее чем 10см, толстой p-n переходной эпитаксиальной i-областью с разностной концентрацией донорной и акцепторной легирующих примесей металлургического перехода не более чем 10сми высокоомным эпитаксиальным GaAs слоем n-типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью увеличения максимальных прямых токов и снижения значений напряжения при прямом включении диода, взамен высокоомного эпитаксиального GaAs слоя n-типа проводимости выполнен высоколегированный гетероэпитаксиальный AlGaAs слой n-типа проводимости, и при этом разностная концентрация донорной и акцепторной примесей в металлургическом p-n переходе GaAs i-области не превышает значений.2. Мощный силовой высоковольтный быстровосстанавливающийся диод с малыми значениями прямовключенного напряжения по п.1, отличающийся тем, что между p-n переходной GaAs эпитаксиальной i-областью и высоколегированным гетероэпитаксиальным AlGaAs слоем n-типа проводимости выполнен тонкий буферный эпитаксиальный GaAs слой n-типа проводимости. |
