发明名称 НИЗКОЭМИССИОННОЕ СТЕКЛО И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ
摘要 1. Низкоэмиссионное стекло, содержащее:подложку,низкоэмиссионный слой, сформированный на подложке; ислой диэлектрика, сформированный на низкоэмиссионном слое, при этом указанное низкоэмиссионное стекло обладает эмиссионной способностью от 0,01 до 0,3 и коэффициентом пропускания в видимой области спектра 70% или более.2. Низкоэмиссионное стекло по п.1, отличающееся тем, что низкоэмиссионное стекло обладает эмиссионной способностью от 0,01 до 0,2.3. Низкоэмиссионное стекло по п.1, отличающееся тем, что низкоэмиссионное стекло обладает коэффициентом пропускания в видимой области спектра 80% или более.4. Низкоэмиссионное стекло по п.1, отличающееся тем, что низкоэмиссионное стекло обладает удельным поверхностным сопротивлением от 5 до 15 Ом/см.5. Низкоэмиссионное стекло по п.1, отличающееся тем, что низкоэмиссионный слой содержит по меньшей мере один из элементов, выбранных из группы, состоящей из серебра, меди, золота, алюминия и платины.6. Низкоэмиссионное стекло по п.1, отличающееся тем, что толщина низкоэмиссионного слоя составляет от 5 до 35 нм.7. Низкоэмиссионное стекло по п.1, отличающееся тем, что слой диэлектрика сформирован непосредственно на низкоэмиссионном слое.8. Низкоэмиссионное стекло по п.1, отличающееся тем, что слой диэлектрика содержит по меньшей мере одно из соединений, выбранных из группы, состоящей из оксида цинка, оксида алюминия, оксида циркония, диоксида кремния, оксида олова, оксида титана, оксида висмута, легированного индием оксида олова, легированного галлием оксида цинка и легированного алюминием оксида цинка.9. Низкоэмиссионное стекло по п.1, отличающееся тем, что толщина слоя диэлектрика составляет о
申请公布号 RU2011144649(A) 申请公布日期 2013.08.27
申请号 RU20110144649 申请日期 2010.07.12
申请人 Эл Джи ХОСИС, ЛТД. 发明人 ЮНЬ Ён-Ки;ЧЁ Ким-Чил;БАЙ II Йун;ХВАН Сюн Сёк
分类号 C03C17/23 主分类号 C03C17/23
代理机构 代理人
主权项
地址