Integrierte Schaltung und Verbindung und Verfahren zur Herstellung derselben
摘要
<p>Die Offenbarung betrifft allgemein integrierte Schaltungen (ICs), IC-Verbindungen und Verfahren zur Herstellung derselben und insbesondere Hochleistungsinduktoren. Die IC (10) weist mindestens einen Graben (20) innerhalb einer Dielektrikumsschicht (25) auf, die auf einem Substrat (30) angeordnet ist. Der Graben wird formangepasst mit einer Auskleidungs- und Keimschicht (35) beschichtet und weist eine Verbindung (40) darin auf. Die Verbindung weist eine Hartmaske (45) auf den Seitenwänden der Verbindung auf.</p>
申请公布号
DE112011103400(T5)
申请公布日期
2013.08.22
申请号
DE201111103400T
申请日期
2011.09.13
申请人
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP.
发明人
MIGA, DANIEL R.;MOON, MATTHEW D.;HE, ZHONG-XIANG;VANSLETTE, DANIEL S.;WHITE, ERIC J.;DEMUYNCK, DAVID A.