Einstellung der Austrittsarbeit in Gate-Stapeln mit großemε, die Gatedielektrika mit unterschiedlicher Dicke enthalten

摘要

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (200), wobei das Verfahren umfasst: Bilden eines Materialschichtstapels über einem ersten Bauteilgebiet (202A) und einem zweiten Bauteilgebiet (202B), wobei der Materialschichtstapel eine dielektrische Basisschicht (252), ein dielektrisches Material mit großemε(253), das auf der dielektrischen Basisschicht gebildet ist, und ein metallenthaltendes Material (254), das auf dem dielektrischen Material mit großemεgebildet ist, aufweist; Ausführen einer Wärmebehandlung, um eine Metallsorte von dem metallenthaltenden Material zu einer Grenzfläche (253S) zu diffundieren, die durch die dielektrische Basisschicht und das dielektrische Material mit großemεgebildet ist; Bilden einer dielektrischen Schicht (251B) selektiv über dem zweiten Bauteilgebiet nach dem Ausführen der Wärmebehandlung; und Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur (250A) über dem ersten Bauteilgebiet und einer zweiten Gateelektrodenstruktur (250B) über dem zweiten Bauteilgebiet, wobei die erste Gateelektrodenstruktur die dielektrische Basisschicht und das dielektrische Material mit großemεals ein erstes Gatedielektrikum aufweist und wobei die zweite Gateelektrodenstruktur die dielektrische Basisschicht, das dielektrische Material mit großemεund die dielektrische Schicht als ein zweites Gatedielektrikum aufweist.