发明名称 Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
摘要 Ein Projektionsbelichtungsverfahren zur Belichtung eines strahlungsempfindlichen Substrates mit mindestens einem Bild eines Musters einer Maske umfasst die Schritte: Halten der Maske zwischen einem Beleuchtungssystem und einem Projektionsobjektiv einer Projektionsbelichtungsanlage derart, dass das Muster im Bereich der Objektebene des Projektionsobjektivs angeordnet ist; Halten des Substrats derart, dass eine strahlungsempfindliche Oberfläche des Substrats im Bereich einer zur Objektebene optisch konjugierten Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnet ist; Beleuchten eines Beleuchtungsbereichs der Maske mit einer von dem Beleuchtungssystem bereitgestellten Beleuchtungsstrahlung; und Projizieren eines in dem Beleuchtungsbereich liegenden Teils des Musters auf ein Bildfeld am Substrat mit Hilfe des Projektionsobjektivs, wobei alle zur Bilderzeugung im Bildfeld beitragenden Strahlen der Projektionsstrahlung in dem Projektionsobjektiv einen Lichtköcher bilden. Das Verfahren ist gekennzeichnet durch eine Ermittlung mindestens eines Lichtköcherparameters, der eine Eigenschaft des Lichtköchers beschreibt sowie durch eine Steuerung des Betriebs der Projektionsbelichtungsanlage unter Berücksichtigung des Lichtköcherparameters.
申请公布号 DE102012202536(A1) 申请公布日期 2013.08.22
申请号 DE201210202536 申请日期 2012.02.20
申请人 CARL ZEISS SMT GMBH 发明人 GRAESCHUS, VOLKER;GRUNER, TORALF
分类号 G03F7/20 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
主权项
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