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Waferanordnung mit–zwei übereinanderliegenden Wafern, zwischen denen sich ein Kontaktbereich (15) befindet, wobei die Wafer an ausgewählten Verbindungspunkten (21, 31) ihres Kontaktbereichs (15) miteinander verbunden sind, wobei–wenigstens einer der Wafer (11, 12) mindestens eines der Halbleitermaterialien Silizium, Germanium, Galliumarsenid, InP, GaP oder eines der Metalle Mo, Cu, CuW oder ein keramisches Material enthält,–wenigstens einer der Wafer (11, 12) eine Mehrzahl von Einzelschichten umfasst, wenigstens eine der Einzelschichten eine epitaktisch aufgebrachte Schicht ist, und wenigstens eine der Einzelschichten Teil eines optoelektronischen Bauelements ist,–wenigstens ein Material (13, 14) zwischen den Wafern (11, 12) eine mechanische Verbindung zwischen den Wafern (11, 12) herstellt, und–die beiden Wafer (11, 12) nur in den ausgewählten Verbindungspunkten (21, 31) des Kontaktbereichs (15) miteinander verbunden sind, wobei neben den Verbindungspunkten (31) auch verbindungsfreie Bereiche (22, 32) des Kontaktbereichs (15) vorhanden sind, an denen keine Verbindung zwischen den beiden Wafern (11, 12) besteht.
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