P-Typ-Halbleitermaterial und Halbleitervorrichtung

摘要

Ein Oxidhalbleitermaterial mit P-Typ-Leitfähigkeit und eine Halbleitervorrichtung, bei der das Oxidhalbleitermaterial verwendet wird, werden bereitgestellt. Das Oxidhalbleitermaterial mit P-Typ-Leitfähigkeit kann unter Verwendung eines Molybdänoxidmaterials, das Molybdänoxid (MoOy(2 < y < 3)) mit einer Zusammensetzung zwischen Molybdändioxid und Molybdäntrioxid enthält, bereitgestellt werden. Beispielsweise wird eine Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines Molybdänoxidmaterials ausgebildet, das Molybdäntrioxid (MoO3) als seine Hauptkomponente enthält und 4% oder mehr von MoOy(2 < y < 3) enthält.