3D-Durchkontaktierungskondensator mit einer potentialfreien leitfähigen Platte für eine verbesserte Zuverlässigkeit

摘要

Die vorliegende Erfindung stellt einen 3D-Durchkontaktierungskondensator und ein Verfahren zum Ausbilden desselben bereit. Der Kondensator weist eine Isolierschicht (110) auf einem Substrat auf. Die Isolierschicht weist eine Durchkontaktierung auf, die Seitenwände und einen Boden hat. Eine erste Elektrode (118a, 118b) überlagert die Seitenwände und mindestens einen Teil des Bodens der Durchkontaktierung. Eine erste dielektrische Materialschicht mit hoher Dielektrizitätskonstante (120) überlagert die erste Elektrode. Eine erste leitfähige Platte (122) befindet sich über der ersten dielektrischen Materialschicht mit hoher Dielektrizitätskonstante. Eine zweite dielektrische Materialschicht mit hoher Dielektrizitätskonstante (126) überlagert die erste leitfähige Platte und lässt einen verbleibenden Anteil der Durchkontaktierung ungefüllt. Eine zweite Elektrode (128) wird in dem verbleibenden Anteil der Durchkontaktierung ausgebildet. Die erste leitfähige Platte ist im Wesentlichen parallel zur ersten Elektrode und steht weder mit der ersten noch mit der zweiten Elektrode in Kontakt. Ein Array solcher 3D-Durchkontaktierungskondensatoren wird auch bereitgestellt.