发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements |
摘要 |
<p>Das Verfahren beinhaltet das Bereitstellen eines Halbleiterchips mit einer ersten Hauptfläche und einer zweiten Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche. Der Halbleiterchip enthält ein elektrisches Bauelement bei der ersten Hauptfläche. Material des Halbleiterchips wird an der zweiten Hauptfläche mit Ausnahme eines vordefinierten Abschnitts entfernt, so dass an der zweiten Hauptfläche eine nichtplanare Oberfläche zurückbleibt.</p> |
申请公布号 |
DE102013101327(A1) |
申请公布日期 |
2013.08.22 |
申请号 |
DE201310101327 |
申请日期 |
2013.02.11 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
FUERGUT, EDWARD;MAHLER, JOACHIM |
分类号 |
H01L21/60;H01L21/50;H01L21/56;H01L23/28;H01L23/48 |
主分类号 |
H01L21/60 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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