| 摘要 |
半导体制造装置，系于反应室内具有：旋转体，于上部具备保持具，用于保持晶圆，于内部设有加热晶圆的加热器；旋转驱动机构，用于旋转晶圆；气体供给机构，用于对反应室供给特定流量之制程气体；气体排出机构，用于由反应室排出气体，控制反应室内成为特定压力；及整流板，用于整流被供给之制程气体，而供给至保持具所保持之晶圆上；藉由具备：环状之整流片，设于整流板下部，下端之内径大于上端之内径，用于使由晶圆上朝外周被排出的气体，朝下方整流；及距离控制机构，进行控制以使整流板与晶圆间之垂直距离、及整流片与旋转体上面间之垂直距离，分别成为特定距离，如此而可以提升成膜效率。 |
