发明名称 非挥发记忆体及具有邻近微扰之管道校正的感测方法
摘要 在补偿来自一毗邻字线WLn+1上之一邻近页之微扰的同时平行地感测一字线WLn上之一非挥发多位阶储存元件页。首先,在时域中感测WLn+1上之储存元件之经程式化临限值且将其编码为时间标记。此系藉由随时间增加之一扫描感测电压完成。一储存元件之时间标记指示该储存元件开始传导之时间或相等地指示该扫描感测电压已达到该储存元件之临限值之时。其次,在施加具有一偏移位准之相同扫描电压至WLn+1作为补偿的同时感测WLn上之页。特定而言,将在由WLn+1上之一毗邻储存元件之时间标记指示之一时间处感测WLn上之一储存元件,该时间为该偏移扫描电压在WLn+1上形成一适当补偿偏压电压之时。
申请公布号 TWI406286 申请公布日期 2013.08.21
申请号 TW098145610 申请日期 2009.12.29
申请人 桑迪士克科技公司 美国 发明人 赛内 朗尔 艾德里安
分类号 G11C16/26 主分类号 G11C16/26
代理机构 代理人 黄章典 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国