发明名称 由有机胺基矽烷前驱物制造矽氧化物膜的方法
摘要 本发明涉及一种通过CVD在基材上沉积矽氧化物层的方法。其中烷基具有至少两个碳原子的有机胺基矽烷前驱物在氧化剂存在下的反应允许形成矽氧化物薄膜。所述的有机胺基矽烷类化合物由下式表示:
申请公布号 TWI405865 申请公布日期 2013.08.21
申请号 TW099133386 申请日期 2007.05.17
申请人 气体产品及化学品股份公司 美国 发明人 史瑞丹达姆 赫瑞奇;萧满超;雷新建;加分尼 汤玛斯 理查
分类号 C23C16/40;C23C16/52;H01L21/316 主分类号 C23C16/40
代理机构 代理人 陈展俊 台北市大安区和平东路2段203号4楼之2;林圣富 台北市大安区和平东路2段203号4楼之2
主权项
地址 美国