发明名称 记忆体的测试装置以及测试方法
摘要 本发明提供一种记忆体的测试装置以及测试方法,抑制因更新的次数不足所导致的数据破坏。更新控制电路10接收插入信号REFTEND,该插入信号REFTEND要求每一规定时序被确认的DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取记忆体)200的更新。更新控制电路10计数插入信号REFTEND被确认的次数,并在DRAM200从外部可存取的空闲状态下,确认:所计数的次数以及用于使DRAM200更新的插入子程式开始信号IJMP。更新电路4在确认插入子程式开始信号IJMP时,执行规定的插入子程式,并将更新图案供给到DRAM200。
申请公布号 TWI406288 申请公布日期 2013.08.21
申请号 TW098115376 申请日期 2009.05.08
申请人 爱德万测试股份有限公司 日本 发明人 中村隆司
分类号 G11C29/08 主分类号 G11C29/08
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项
地址 日本