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发明名称
流体晶片及其制造方法
摘要
本发明系关于一种流体晶片及其制造方法。该流体晶片包括一底层、一接合层及一顶层。该接合层位于该底层上,该接合层之材质系为亲水性高分子。该顶层位于该接合层上,该顶层包括至少一流体储存槽及至少一流道,该流体储存槽系连通该流道。藉此,该接合层得以低温接合该顶层及该底层,且该流道不需任何表面加工即具有高亲水性,而得以驱动该流体。
申请公布号
TWI405709
申请公布日期
2013.08.21
申请号
TW097144396
申请日期
2008.11.17
申请人
国立成功大学 台南市东区大学路1号
发明人
锺震桂;施廷润;陈育圣
分类号
B81B1/00;B81B7/00
主分类号
B81B1/00
代理机构
代理人
刘正格 台北市中山区中山北路1段53巷20号之1
主权项
地址
台南市东区大学路1号
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