薄膜形成方法及半导体制程用装置

摘要

本发明系关于一种用于半导体制程之薄膜形成方法，其包括将复数个目标物体间隔着在垂直方向上放置于薄膜形成装置之制程容器内部。然后，该方法包括设定该制程容器以使其中处于第一真空状态，并将包含烃气体之第一薄膜形成气体供应至该制程容器，由此藉由CVD在该等目标物体上形成碳薄膜。接着，该方法包括设定该制程容器以使其中处于第二真空状态，同时维持该制程容器以使其中处于不同于该第一真空状态之真空状态，并将含有机矽源气体之第二薄膜形成气体供应至该制程容器中，由此藉由CVD在该碳薄膜上形成含Si无机薄膜。