| 发明名称 | GaAs衬底采用AlGaInN缓冲层生长三族氮化物的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种GaAs衬底采用AlGaInN缓冲层生长三族氮化物的方法，涉及制造半导体器件的方法。该方法应用于制作GaN基异质结场效应晶体管（HFET）、发光二极管（LED）和激光器（LD）材料与器件，其采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或者氢化物气相外延（HVPE）生长系统在GaAs衬底采用AlGaInN缓冲层外延生长三族氮化物，进而开展GaN基微电子和光电子器件结构的外延生长。利用本发明方法制作的GaAs衬底三族氮化物外延材料位错密度大大降低，提高了外延材料的晶体质量，同时由于GaAs衬底价格低廉，工艺成熟，本发明也提高了GaAs衬底GaN基外延材料的实用性。 | ||
| 申请公布号 | CN103258722A | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201310151866.8 | 申请日期 | 2013.04.27 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 刘波;冯志红;张雄文;敦少博;尹甲运;邢东;蔡树军 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人 | 李荣文 |
| 主权项 | 一种GaAs衬底采用AlGaInN缓冲层生长三族氮化物的方法，其特征在于包括如下工艺步骤：（1）在GaAs衬底上直接生长AlGaInN缓冲层或者先生长GaAs形核层后再生长AlGaInN缓冲层；（2）在AlGaInN缓冲层上生长三族氮化物层。 | ||
| 地址 | 050051 河北省石家庄市合作路113号 | ||