发明名称 半导体多孔氧化铋纳米球及其制备方法和应用
摘要 本发明涉及一种可见光响应纳米光催化半导体材料的制备方法,其为具有均一多孔结构、尺寸,且具有良好分散性的纳米球,直径为60-120nm,为下述方法所得产物,包括有以下步骤:1)将铋源与去离子水配成溶液,然后向溶液中加入表面活性剂;2)将双氧水加入到步骤1)所得混合溶液中,得到的溶液转入反应釜中,反应,得到土黄色前驱体溶液;3)将得到的前驱体溶液自然冷却后洗涤,并置于烘箱中烘干;4)将烘干后得到的前驱体研磨均匀后放入管式炉中,煅烧,即得。本发明的有益效果是:该材料作为降解污染物材料,表现出优异的降解性能、较窄的能带间隙和较好的循环稳定性。本发明工艺简单,符合绿色化学的要求,利于市场化推广。
申请公布号 CN103253704A 申请公布日期 2013.08.21
申请号 CN201310128516.X 申请日期 2013.04.12
申请人 武汉理工大学 发明人 施伟东;官建国;孙晓莉
分类号 C01G29/00(2006.01)I;B01J23/18(2006.01)I;B01J35/10(2006.01)I;B01J13/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I 主分类号 C01G29/00(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人 崔友明
主权项 半导体多孔氧化铋纳米球,其为具有均一多孔结构、尺寸,且具有良好分散性的纳米球,直径为60‑120nm,为下述方法所得产物,包括有以下步骤:1)将铋源与去离子水配成溶液,然后向溶液中加入表面活性剂,铋源与表面活性剂的摩尔比为1:3‑1:4,混合均匀;2)将0.5‑1.5ml双氧水加入到25‑35ml步骤1)所得混合溶液中,得到的溶液转入反应釜中,在180‑220℃反应5‑10小时,得到土黄色前驱体溶液;3)将得到的前驱体溶液自然冷却后洗涤,并置于60℃烘箱中使其完全烘干;4)将烘干后得到的前驱体研磨均匀后放入管式炉中,在空气氛围中400‑900℃下煅烧1‑5小时,得到黄色粉末即为半导体多孔氧化铋纳米球。
地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号