用于制造具有均匀梯状高度的隔离区的半导体装置的方法

摘要

提供一种用于制造具有均匀梯状高度的隔离区的半导体装置的方法。在实施例中，一种制造半导体装置的方法包含形成覆盖半导体衬底的平坦化终止层。沟槽蚀刻穿过该平坦化终止层及进入该半导体衬底中并以隔离材料填充沟槽。平坦化该隔离材料以建立与该平坦化终止层共平面的隔离材料的顶表面。该方法中，执行干式除渣工艺以移除该平坦化终止层的一部分及该隔离材料的一部分用以将该隔离材料的顶表面降低至在该半导体衬底上方的期望梯状高度。

主权项

一种制造半导体装置的方法，包括：形成覆盖半导体衬底的平坦化终止层；蚀刻沟槽穿过该平坦化终止层而进入该半导体衬底中；以隔离材料填充该沟槽；平坦化该隔离材料，以建立与该平坦化终止层共平面的隔离材料的顶表面；以及执行干式除渣工艺，以移除该平坦化终止层的一部分及该隔离材料的一部分，用以降低该隔离材料的该顶表面至在该半导体衬底上方所期望的梯状高度。