双栅极横向MOSFET

摘要

双栅极横向MOSFET包括：衬底上方的漂移区、在漂移区中形成的隔离区和在漂移区中形成的沟道区。双栅极横向MOSFET包括：在漂移区中形成的漏极区和在沟道区中形成的源极区，其中，源极区和漏极区形成在隔离区的相对两侧。双栅极横向MOSFET进一步包括邻近源极区形成的第一栅极和第二栅极，其中，第一栅极和第二栅极堆叠在一起并且通过介电层隔离。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，具有第一导电性；第一区域，具有第二导电性并形成在所述衬底上方；主体区，具有所述第一导电性并形成在所述第一区域中；隔离区，形成在所述第一区域中；第二区域，具有所述第二导电性并形成在所述第一区域中；第三区域，具有所述第二导电性并形成在所述第一区域中，其中，所述第三区域和所述第二区域形成在所述隔离区的相对两侧；第一介电层，形成在所述第一区域上方；第一栅极，形成在所述第一介电层上方；第二介电层，形成在所述第一栅极上方；以及第二栅极，形成在所述第二介电层上方。