| 发明名称 | 复合衬底、具有复合衬底的半导体芯片和用于制造复合衬底和半导体芯片的方法 | ||
| 摘要 | 说明一种具有载体(2)和有用层(5)的复合衬底(1)，其中所述有用层借助介电连接层(3)固定在所述载体(2)上并且所述载体(2)包含辐射转换材料。此外，说明一种具有这样的复合衬底的半导体芯片(10)、一种用于制造复合衬底的方法以及一种用于制造具有复合衬底的半导体芯片的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103262268A | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201180063542.8 | 申请日期 | 2011.12.16 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | J.鲍尔;B.哈恩;V.赫勒;K.恩格尔;J.赫特科恩;泷哲也 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L33/08(2006.01)I;C09K11/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 汤春龙;刘春元 |
| 主权项 | 一种复合衬底(1)，所述复合衬底(1)具有载体(2)和借助介电连接层(3)固定在所述载体上的有用层(5)，其中所述复合衬底(1)包含辐射转换材料。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||