| 发明名称 | 金属柱凸块结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种金属柱凸块结构及其形成方法，该方法包括：形成一保护层于一半导体基板之上；形成一导电层于该保护层之上；提供经图案化与经过蚀刻的一阻剂层于该导电层之上，该阻剂层中定义有至少一开口；沉积一金属层于该至少一开口内；沿着介于该阻剂层与该金属层间的一或多个界面蚀刻部分的该阻剂层，以形成多个凹穴；沉积一焊锡材料于该至少一开口内，该焊锡材料填入所述多个凹穴内以及高于该金属层的该开口的一部内；移除剩余的该阻剂层与未形成于该金属层之下的该导电层；以及回焊该焊锡材料以包覆该金属层。本发明可于制造过程中保护金属柱凸块的侧壁。 | ||
| 申请公布号 | CN101950728B | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201010226312.6 | 申请日期 | 2010.07.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 曾明鸿;连永昌;陈承先;郭正铮 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种金属柱凸块结构的形成方法，包括：形成一保护层于一半导体基板之上；形成一导电层于该保护层之上；提供经图案化与经过蚀刻的一阻剂层于该导电层之上，该阻剂层中定义有至少一开口；沉积一金属层于该至少一开口内；沿着介于该阻剂层与该金属层间的一或多个界面蚀刻部分的该阻剂层，以形成多个凹穴；沉积一焊锡材料于该至少一开口内，该焊锡材料填入所述多个凹穴内以及高于该金属层的该开口的一部分内；移除剩余的该阻剂层与未形成于该金属层之下的该导电层；以及回焊该焊锡材料以包覆该金属层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||