发明名称 |
复合金属氧化物为钝化参考电极的埋藏式NASICON基H<sub>2</sub>传感器及其制备方法 |
摘要 |
复合金属氧化物为钝化参考电极的埋藏式NASICON基H2传感器及其制备方法,属于气体传感器技术领域。由作为绝缘层的Al2O3陶瓷管、设置在Al2O3陶瓷管内部的镍镉合金加热丝、涂覆在Al2O3陶瓷管表面的第一NASICON离子导电层、制备在第一NASICON离子导电层表面的敏感电极、涂覆在敏感电极及第一NASICON离子导电层表面的第二NASICON离子导电层、制备在第二NASICON离子导电层表面的钝化参考电极组成,其中敏感电极为环形网状的Au材料,钝化参考电极由环形网状的Au材料及在其上涂覆的一层复合金属氧化物电极材料CoCrxMn2-xO4构成。其可用于大气气氛中氢气浓度的检测。 |
申请公布号 |
CN103257161A |
申请公布日期 |
2013.08.21 |
申请号 |
CN201310140721.8 |
申请日期 |
2013.04.23 |
申请人 |
吉林大学 |
发明人 |
梁喜双;张含;卢革宇 |
分类号 |
G01N27/26(2006.01)I;G01N27/30(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/26(2006.01)I |
代理机构 |
长春吉大专利代理有限责任公司 22201 |
代理人 |
张景林;刘喜生 |
主权项 |
一种复合金属氧化物为钝化参考电极的埋藏式NASICON基H2传感器,其特征在于:由作为绝缘层的Al2O3陶瓷管、设置在Al2O3陶瓷管内部的镍镉合金加热丝、涂覆在Al2O3陶瓷管表面的第一NASICON离子导电层、制备在第一NASICON离子导电层表面的敏感电极、涂覆在敏感电极及第一NASICON离子导电层表面的第二NASICON离子导电层、制备在第二NASICON离子导电层表面的钝化参考电极组成,其中敏感电极为环形网状的Au材料,钝化参考电极由环形网状的Au材料及在其上涂覆的一层复合金属氧化物电极材料CoCrxMn2‑xO4构成,其中0.8≤x≤1.2。 |
地址 |
130012 吉林省长春市前进大街2699号 |