制造碳化硅半导体器件的方法和碳化硅半导体器件

摘要

一种制造碳化硅半导体器件的方法以及碳化硅半导体器件。具有第一表面（F1）和第二表面（F2）的碳化硅层包括第一区（11）、第二区（12）和第三区（13），第一区（11）构成第一表面（F1）并且具有第一导电类型，第二区（12）设置在第一区（11）上并且具有第二导电类型，第三区（13）设置在第二区上并且具有第一导电类型。在第二表面（F2）上，形成具有底部（BT）和侧壁（SS）的栅沟槽（GT），栅沟槽经过第三区（13）和第二区（12），直至到第一区（11）。形成在所述厚度方向上从栅沟槽（GT）的底部（BT）延伸的附加沟槽（AT）。形成第二导电类型的第四区（14）以填充附加沟槽（AT）。

主权项

一种制造碳化硅半导体器件（100）的方法，包括以下步骤：制备碳化硅层（10），所述碳化硅层（10）具有在厚度方向上彼此相反的第一表面（F1）和第二表面（F2），所述碳化硅层（10）包括第一区（11）、第二区（12）和第三区（13），其中所述第一区（11）构成所述第一表面并且具有第一导电类型，所述第二区（12）通过所述第一区与所述第一表面隔开地设置在所述第一区上，并且具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，所述第三区（13）设置在所述第二区上，通过所述第二区与所述第一区隔离，并且具有所述第一导电类型，并且在所述第二表面处，形成栅沟槽（GT），所述栅沟槽具有底部（BT）和侧壁（SS），经过所述第三区和所述第二区直至到所述第一区，所述侧壁包括由所述第一区、所述第二区和所述第三区的每个构成的区域，并且形成在所述厚度方向上从所述栅沟槽的所述底部延伸的附加沟槽（AT），形成所述第二导电类型的第四区（14）从而填充所述附加沟槽，在所述侧壁上形成栅绝缘膜（21），所述栅绝缘膜覆盖所述碳化硅层的所述第二区，在所述碳化硅层的所述第二区上形成栅电极（30），使所述栅绝缘膜在所述栅电极和所述第二区之间，在所述碳化硅层的所述第一区上形成第一电极（31），并且在所述碳化硅层的所述第三区上形成第二电极（32）。