| 发明名称 | 用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，属于半导体器件领域。本发明包括半绝缘衬底，在所述半绝缘衬底的背面设有两个以上的空气孔，所述空气孔的深度小于半绝缘衬底的厚度，大于半绝缘衬底厚度的三分之一。本发明给出的在半绝缘衬底背面制作多孔结构，可以大幅降低肖特基二极管的寄生电容，提高肖特基二极管的截止频率，同时也可以增加肖特基二极管的散热能力，提高肖特基二极管用于倍频时的转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103258843A | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201310208689.2 | 申请日期 | 2013.05.30 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 王俊龙;冯志红;邢东;梁士雄;张立森;杨大宝;张雄文;宋旭波;何泽召;蔚 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人 | 陆林生 |
| 主权项 | 一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，其特征在于包括半绝缘衬底（1），在所述半绝缘衬底（1）的背面设有两个以上的空气孔（2），所述空气孔（2）的深度小于半绝缘衬底（1）的厚度。 | ||
| 地址 | 050051 河北省石家庄市合作路113号 | ||