| 发明名称 | 一种发光二极管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法。一种发光二极管，至少包含：外延基板；n型半导体，位于所述外延基板表面之上；发光层，位于所述n型半导体表面之上；p型半导体，位于所述发光层表面之上；p型电极，位于所述p型半导体表面之上；n型电极，位于局部裸露的n型半导体表面之上；所述n型半导体的上表面定义为第一表面，所述n型电极的上表面定义为第二表面，第一表面不低于所述第二表面。此可解决高功率发光二极管的电流局限以及金属电极吸光的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN103258945A | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201310137120.1 | 申请日期 | 2013.04.19 |
| 申请人 | 安徽三安光电有限公司 | 发明人 | 夏德玲;赵志伟 |
| 分类号 | H01L33/54(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/54(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种发光二极管，包含：外延基板；n型半导体，位于所述外延基板表面之上；发光层，位于所述n型半导体表面之上；p型半导体，位于所述发光层表面之上； p型电极，位于所述p型半导体表面之上；n型电极，位于局部裸露的n型半导体表面之上，并与所述p型电极同侧；所述n型半导体的上表面定义为第一表面，所述n型电极的上表面定义为第二表面，第一表面不低于所述第二表面。 | ||
| 地址 | 241000 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号 | ||