| 发明名称 | 集成电路元件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明一实施例提供一种集成电路元件及其形成方法，该集成电路元件包括：一中介层，大抵不具有集成电路元件，其中该中介层包括：一基底，具有一第一侧及相反于该第一侧的一第二侧；多个穿基底导电结构，位于该基底之中；一第一内连线结构，位于该基底的该第一侧上，且电性耦接至至少一所述多个穿基底导电结构；以及一第二内连线结构，位于该基底的该第二侧上，且电性耦接至至少一所述多个穿基底导电结构；一第一芯片，接合于该第一内连线结构之上；以及一第二芯片，接合于该第二内连线结构之上。本发明的实施例可避免可能造成的合格率损失。此外，流程时间可减少。 | ||
| 申请公布号 | CN102163596B | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN201110034826.6 | 申请日期 | 2011.01.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 胡宪斌;余振华;陈明发;林俊成;赖隽仁;林咏淇 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;刘文意 |
| 主权项 | 一种集成电路元件，包括：一中介层，不具有集成电路元件，其中该中介层包括：一基底，具有一第一侧及相反于该第一侧的一第二侧；多个穿基底导电结构，位于该基底之中；一第一内连线结构，位于该基底的该第一侧上，且电性耦接至至少一所述多个穿基底导电结构；以及一第二内连线结构，位于该基底的该第二侧上，且电性耦接至至少一所述多个穿基底导电结构；一第一芯片，接合于该第一内连线结构之上；一第二芯片，接合于该第二内连线结构之上；一封装材料，位于该第二内连线结构之上，且包围该第二芯片；一封装材料，位于该第二芯片之上；以及一空腔，位于该封装材料与该第二芯片之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||