| 发明名称 | 碳化硅单晶的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种方法，其可以通过使用以Si合金的熔体为溶剂的SiC溶液的液相生长技术来稳定地制造适于各种器件使用的、载流子密度为5×1017/cm3以下、优选为小于1×1017/cm3的低载流子密度的SiC单晶薄膜或块状晶体，该方法使用具有如下组成的合金作为Si合金：以SixCryTiz表示，且x、y和z(分别为原子％)满足(1)0.50＜x＜0.68、0.08＜y＜0.35以及0.08＜z＜0.35、或(2)0.40＜x≤0.50、0.15＜y＜0.40以及0.15＜z＜0.35。x、y和z优选满足0.53＜x＜0.65、0.1＜y＜0.3以及0.1＜z＜0.3。 | ||
| 申请公布号 | CN102203330B | 申请公布日期 | 2013.08.21 |
| 申请号 | CN200980143619.5 | 申请日期 | 2009.08.28 |
| 申请人 | 新日铁住金株式会社 | 发明人 | 龟井一人;楠一彦;矢代将齐;八内昭博;下崎新二 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B19/04(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种SiC单晶的制造方法，其特征在于，该SiC单晶的制造方法在由Si合金的熔体形成的溶剂中溶解C而成的SiC溶液中浸渍晶种，并使至少晶种附近的溶液通过过冷而处于过饱和状态，从而使SiC单晶在晶种上生长，所述Si合金是具有如下组成的合金：以SixCryTiz表示，且分别为原子%的x、y和z满足（1）0.50<x<0.68、0.08<y<0.35以及0.08<z<0.35、或（2）0.40<x≤0.50、0.15<y<0.40以及0.15<z<0.35。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||