发明名称 |
一种微构造硅雪崩二极管的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种微构造硅雪崩二极管的制备方法,含以下步骤:(1)在单晶硅衬底上通过激光刻蚀掺杂硫元素,得到微构造硅;(2)在微构造硅表面涂覆一层SiO2保护层;(3)在单晶硅衬底上部和下部分别引出阳极引线和阴极引线,制成微构造硅雪崩二极管。该方法制成的微构造硅雪崩二极管能制成盖革模式(G-APD)雪崩二极管阵列探测器件,该器件具有较高的响应度,单光子探测灵敏度和皮秒级时间分辨率突出,光谱响应范围可以拓展到中红外波段。 |
申请公布号 |
CN103258912A |
申请公布日期 |
2013.08.21 |
申请号 |
CN201310173941.0 |
申请日期 |
2013.05.13 |
申请人 |
华南师范大学 |
发明人 |
陈长水;韩田 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
广州知友专利商标代理有限公司 44104 |
代理人 |
宣国华 |
主权项 |
一种微构造硅雪崩二极管的制备方法,其特征是含以下步骤:(1)在单晶硅衬底上通过激光刻蚀掺杂硫元素,得到微构造硅;(2)在微构造硅表面涂覆一层SiO2保护层;(3)在单晶硅衬底上部和下部分别引出阳极引线和阴极引线,制成微构造硅雪崩二极管。 |
地址 |
510006 广东省广州市广州大学城华南师范大学信息光电技术学院 |