包括选择性发射极的太阳能电池的制造方法

摘要

制造包括选择性发射极的太阳能电池的方法，包括：在太阳能电池基底（50）的一个表面的至少一部分上形成（10，12，14）含掺杂物的玻璃层（55）；在太阳能电池基底（50）被玻璃层（55）所覆盖的区域上，通过把掺杂物从玻璃层（55）扩散到太阳能电池基底（50）中，形成（16）轻掺杂发射极（58）；通过对位于玻璃层（55）之下的太阳能电池基底（50）的区域进行局部加热（18）使来自玻璃层（55）的额外的掺杂局部扩散（18）到太阳能电池基底（50）中，以局部地形成（18）高掺杂发射极区（60）；其中，在太阳能电池基底（50）的表面的至少一部分上形成（10，12，14）的作为含掺杂物的玻璃层（55）的玻璃层（55）是这样的，即该层在玻璃层（55）的离太阳能电池基底（50）的表面较近的第一子层（52）中具有比在玻璃层（55）的离太阳能电池基底的表面较远的第二子层（54）中更低的掺杂物浓度。

主权项

包括选择性发射极的太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：‑在一个太阳能电池基底（50）的一个表面的至少一部分上形成（10，12，14）一个含掺杂物的玻璃层（55）；‑通过把掺杂物从玻璃层（55）扩散到太阳能电池基底（50）中，在太阳能电池基底（50）被玻璃层（55）所覆盖的区域上，形成（16）轻掺杂发射极（58）；‑通过对位于玻璃层（55）之下的太阳能电池基底（50）的区域进行局部加热（18），把来自玻璃层（55）的额外的掺杂物局部扩散（18）到太阳能电池基底（50）中，以局部地形成（18）高掺杂发射极区（60）；其特征在于在太阳能电池基底（50）的表面的至少一部分上形成（10，12，14）的作为含掺杂物的玻璃层（55）的玻璃层（55）是这样的，即在玻璃层（55）的离太阳能电池基底（50）的表面较近的一个第一子层（52）中的掺杂物浓度比在玻璃层（55）的离太阳能电池基底的表面较远的一个第二子层（54）中的掺杂物浓度更低。